Samsung comienza la producción en masa de DRAM DDR4 a 10nm

Samsung Electronics Co. anunció el inicio de la producción en masa de los primeros chips de memoria DRAM DDR4 fabricados bajo una litografía de 10 nanómetros (10nm), nuevo hito que llega tras ser la primera compañía que lanzó chips de memoria DRAM DDR3 a 20 nanómetros en 2014. Estos chips de memoria DDR4 de 8Gb a 10nm mejoran la productividad de la oblea en más de un 30 por ciento respecto a los actuales chips de memoria DDR4 de 8Gb a 20nm.



Estos nuevos chips de memoria DRAM soportan unas velocidades de transferencia de 3200 megabits por segundo (Mbps), siendo así un 30 por ciento más rápidos que los chips DDR4 a 20nm que van a 2400 Mbps. Gracias a la nueva litografía no solo mejora el rendimiento, sino el consumo energético, es por ello que respecto al proceso de fabricación de 20nm estos chips consumen entre un 10 y un 20 por ciento menos de energía.

Estos chips de memoria a 10nm llegarán a lo largo del vigente año para crear equipos de sobremesa domésticos con capacidades que van desde los 4 hasta los 128 GB además de llegar a los smartphones de muy alta gama para ofrecer altas capacidades y velocidades de vértigo para mejorar su rendimiento bajo el uso de paneles Ultra HD / 4K.

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