viernes, 9 de septiembre de 2016

GlobalFoundries anuncia su proceso de fabricación a 12nm FD-SOI

GlobalFoundries ha presentado hoy su nueva tecnología de fabricación a 12nm FD-SOI, extendiendo así su posición de liderazgo al ser el primero en ofrecer varios nodos FD-SOI en su hoja de ruta. Basándose en el éxito de su oferta 22FDXTM, la próxima plataforma de nueva generación de la compañía, conocida como 12FDXTM, está diseñada para permitir a los sistemas inteligentes del mañana acceder a una amplia gama de aplicaciones, desde la informática móvil y la conectividad 5G hasta la inteligencia artificial y los vehículos autónomos.


A medida que el mundo se vuelve cada vez más integrado a través de miles de millones de dispositivos conectados, muchas aplicaciones emergentes exigen un nuevo enfoque a la innovación de semiconductores. Los chips que hacen posibles estas aplicaciones están evolucionando en mini-sistemas, con una mayor integración de componentes inteligentes que incluye la conectividad inalámbrica, la memoria no volátil, y la gestión del consumo, todo esto se realiza con un consumo ultra bajo. 12FDX es la nueva tecnología de GlobalFoundries diseñada específicamente para ofrecer estos niveles sin precedentes de integración de sistemas, flexibilidad de diseño y escalado de potencia.

12FDX establece un nuevo estándar para la integración del sistema proporcionando una plataforma optimizada para la combinación de frecuencia de radio (RF), análogo, memoria incorporada, y lógica avanzada en un único chip. 

La tecnología también ofrece la gama más amplia de la industria de la escala de tensión dinámica y flexibilidad de diseño a través de los transistores, capaces de entregar el máximo rendimiento cuando y donde sea necesario, mientras que el equilibrio de energía estática y dinámica para lograr la máxima eficiencia energética se controla mediante software.
“Algunas aplicaciones requieren un funcionamiento sin igual de los transistores FinFET, pero la gran mayoría de los dispositivos conectados necesitan altos niveles de integración y una mayor flexibilidad para el rendimiento y el consumo de energía, algo que con la litografía FinFET no se puede lograr”, dijo el CEO de GlobalFoundries.
En resumen: GlobalFoundries describe este proceso como un equivalente a una litografía 16nm FinFET pero ofreciendo un 15 por ciento más de rendimiento con una reducción del 50 por ciento en su consumo energético.

Saludos.

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