Hoy toca conocer un nuevo tipo de memoria no volátil, la ReRAM, creada por las compañías Mobiveil y Crossbar prometiendo mejorar notablemente las velocidades que alcanzan los SSDs en el día de hoy dotados de una memoria NAND Flash cada vez más limitada y cara. Este rendimiento promete mejorar en hasta 1000 veces respecto a los SSD actuales rebajando la latencia en hasta 100 veces, consumiendo un 20 por ciento menos energía y duplicando la densidad en el mismo espacio.
Este nuevo tipo de memoria se basa en una estructura simple de tres capas de electrodo superior, medio de conmutación y electrodo inferior, donde el mecanismo de conmutación de resistencia se basa en la formación de un filamento en el material de conmutación cuando se aplica una tensión entre los dos electrodos. Crossbar en particular (este tipo de memoria resistiva también está siendo perseguida por otras empresas, como HP) dice que su célula ReRAM es muy estable, siendo capaz de soportar oscilaciones de temperaturas extremas que van desde los -40 °C hasta los 125 °C, a lo que se le suma más de 1 millón de ciclos de escritura, y la gestión y retención de datos durante 10 años a 85 °C. Como ventaja, ofrece un diseño 3D escalable, y su producción se puede lograr en fabricas estándar de fabricación CMOS.
Esta no es la próxima evolución en SSD, al menos, no para el consumidor en general, ya que los costes de producción e implementación de la ReRAM estarán a la vanguardia de lo que implica la producción de memoria 3D NAND actual, haciendo de este un producto de nicho que está disponible para los clientes que requieren absolutamente el rendimiento más rápido posible a través de una interfaz estándar. En este caso, NVMe es la opción, y los controladoras NVMe, PCIe y DDR3/4 de Mobiveil pueden adaptarse fácilmente para acomodar la arquitectura ReRAM de Crossbar, que es capaz de alcanzar un rendimiento de 6.400.000 de IOPS de 512 bits (800.000 IOPS aleatorio 4K) con una latencia inferior a 10 microsegundos.
El principal beneficio del uso de ReRAM en un SSD es que reduce la complejidad de la controladora de almacenamiento y los cuellos de botella. Lo hace eliminando grandes porciones de los accesos de memoria necesarios, y también proporcionando un borrado atómico independiente eliminando la necesidad de crear matrices de memoria en el diseño de la memoria flash. Las empresas saben que el mercado será pequeño: “Va a ser bastante caro“, comparándolo con el mercado NV-DIMM. “Los chips NV-DIMMS son más caros que la DRAM, son mucho más caros que los SSD, pero ofrecen una velocidad abrumadora para las personas que quieren pagar por ella”, dijo Jim Handy, analista principal de Objective Analysis.
Jim indicó que los SSD basados en la ReRAM de Crossbar encontrarán un nicho con clientes dispuestos a pagar un alto nivel de rendimiento y persistencia, agregando que Intel está vendiendo Optane con pérdidas porque ayuda a la compañía a vender procesadores más caros. Finalizó indicando que los SSDs con memoria 3D NAND “serán mucho más económicos que cualquier cosa hecha de Crossbar ReRAM“, dijo.
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