Samsung comienza la producción en masa de su memoria HBM2 de 4GB

Tras arrancar a fabricar en masa las primeras obleas de procesadores bajo un proceso de fabricación de 14nm FinFET, ahora Samsung anunció el inicio de la fabricación en masa de un gran aliado de este nodo, hablamos de la memoria HBM2 con una capacidad de 4 GB, el compañero ideal del silicio AMD Polaris sin olvidarnos de las gráficas Nvidia Pascal, las cuales también accederán a la memoria ultra rápida de Samsung.



 
Esta nueva memoria VRAM HBM2 de 4 GB se encuentra fabricada haciendo uso de un proceso de fabricación de 20nm que promete un alto rendimiento, una eficiencia energética, un tamaño comedido y una alta rentabilidad para la próxima generación de quipos y gráficas. Estos chips alcanzan un ancho de banda de 256 Gbps (el doble respecto al HBM1) todo ello siendo mucho más eficiente, ya que ofrece el doble de ancho de banda por vatio consumido.
Los 4 GB de memoria HBM2 se crean mediante el apilamiento de chips de memoria de 8 gigabits interconectados verticalmente mediante agujeros TSV y microbumps en el propio die de la CPU. Un único chip HBM2 de 8 Gb cuenta con más de 5000 agujeros TSV, 36 veces más de lo que podemos encontrar en un chip DDR4 de 8 Gb.

Saludos.