La memoria de cambio de fase (conocida también como PCM, PRAM, PCRAM y/o Ovonic unified memory) es un tipo de memoria no volátil, es decir, no necesita energía para que la información almacenada perdure. Este tipo de tecnología opera a través de cristales cuya estructura molecular es alterada al recibir corriente eléctrica de diferente intensidad.
El desarrollo de las memorias PRAM ha avanzado lentamente hasta ahora. Sin embargo va a haber un claro avance después del reciente anuncio que ha hecho IBM en el IEEE International Memory Workshop de París. La compañía ha hecho público que han alcanzado una densidad de tres bits por celda, cuando hasta el momento el mayor logro era almacenar un bit por celda, logrando con ello que el coste de producción de la memoria de cambio de fase se reduzca hasta un nivel muy cercano al de la memoria flash y muy por debajo de la DRAM. Gracias a este significativo avance, la aplicación de esta tecnología con fines comerciales en un futuro próximo comienza a ser, finalmente, una realidad.
Entre las posibles aplicaciones de las memorias de cambio de fase, IBM ha propuesto algunos ejemplos para ilustrar el potencial de esta tecnología. Por ejemplo, en vez de sistemas de almacenamiento basados en SSD y disco duro, los ordenadores podrían pasar a tener sistemas PCB-SSD, y un smartphone con un chip PCM tendría un arranque completo en pocos segundos gracias a un sistema mixto de almacenamiento.
La memoria de cambio de fase resultará clave en el progreso de las aplicaciones de aprendizaje máquina y redes neurales, siendo idónea para sistemas críticos que necesitan un soporte fiable. La tecnología del chip de tres bits por celda de IBM logra que soporte un millón de ciclos de lectura-escritura sin problemas. En comparación, los chips PCB aguantan hasta 10 millones de ciclos y las memorias USB sólo unos 3.000 aproximadamente.
Vía: Gizmodo
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