lunes, 26 de septiembre de 2016

GlobalFoundries anuncia su tecnología de 7nm FinFET, un 30% más rápida que los 16/14nm FinFET

GlobalFoundries anunció hoy sus planes de ofrecer una nueva tecnología avanzada en forma de 7nm FinFET que ofrecerá lo último en rendimiento para la próxima era de las aplicaciones informáticas. Esta tecnología ofrece más potencia de procesamiento para centros de datos, redes, crear procesadores para smartphones de alta gama y para aplicaciones de inteligencia profunda.


GlobalFoundries dice que su nueva litografía de 7nm FinFET es capaz de entregar más del doble de la densidad lógica y aumenta el rendimiento en un 30 por ciento respecto a los actuales procesadores basados a una litografía tanto de 16 como de 14nm FinFET. Para alcanzar dicha litografía, la compañía hará uso de nuevas herramientas y procesos junto a una inversión adicional de varios miles de millones de dólares en su Fab 8 para permitir el desarrollo y la producción en masa de su nuevo nodo.
“GlobalFoundries tomó una decisión audaz para saltar directamente de los 14nm a los 7nm, una decisión que ahora está apoyada por varias empresas líderes en semiconductores gracias a la mejora de rendimiento y potencia, a lo que se le suma los beneficios sólo marginales por el alto coste que presentaba el proceso de fabricación a 10nm,” dijo Jim McGregor, fundador y analista principal de TIRIAS Research.
“Al igual que los procesos de fabricación de 28nm, 16nm y 14nm, los 7nm parecen ser el siguiente proceso de fabricación importante que será ampliamente aprovechado por toda la industria de los semiconductores durante al menos la próxima década.”
Se espera que la tecnología estará lista para el diseño del producto personalizado de sus clientes (donde Advanced Micro Devices (AMD) y Qualcomm son los más importantes) en la segunda mitad de 2017, esperando que la producción en masa de los diseños personalizados tenga lugar a principios de 2018.

Saludos.

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