El Micron X100 es el SSD más rápido del mundo

Micron Technology sigue revolucionando el mercado, y es que la compañía anunció el que ya se trata del SSD más rápido del mundo, el Micron X100, y es que se trata del primer SSD de la compañía que emplea la tecnología 3D XPoint, la cual marca el comienzo de un nuevo nivel en la jerarquía de memoria de almacenamiento con mayor capacidad y persistencia que la DRAM, junto con una mayor resistencia y rendimiento que el NAND.

"El innovador SSD X100 de Micron lleva el potencial disruptivo de la tecnología 3D XPoint a los centros de datos, impulsando mejoras revolucionarias en el rendimiento de las aplicaciones y permitiendo casos de uso completamente nuevos", dijo Sumit Sadana, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Negocios de Micron.

"Micron es el único proveedor de soluciones DRAM, NAND y 3D XPoint en el mundo, y este producto continúa la evolución de nuestro portafolio hacia soluciones de mayor valor que aceleran las capacidades de inteligencia artificial, impulsan una analítica de datos más rápida y crean nuevas perspectivas para nuestros clientes".

Vamos a lo que importa, el rendimiento, y es que esta unidad emplea la interfaz PCI-Express 3.0 x16 y arroja un impresionante tiempo de respuesta de 8 microsegundos, superando así a quien hasta ahora usaba en exclusiva esta tecnología, Intel, donde su SSD Optane más rápido arrojaba una latencia de 10 microsegundos.

Estas unidades alcanzan unas velocidades secuenciales de lectura y escritura de 9.000 MB/s y una lectura y escritura aleatoria 4K de hasta 2.500.000 de IOPS, por lo que incluso los nuevos SSDs PCI-Express 4.0 parecen poca cosa al lado de estas unidades. 

Obviamente, ni una palabra en torno al precio, y poco importa, ya que está centrado para el mercado comercial y los usuarios domésticos no lo encontrarán en las tiendas.

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Micron lanza sus SSD 5210 ION

Micron Technology anunció el lanzamiento global de su SSD tope de gama en formato SATA III @ 6.0 Gbps, el Micron 5210 ION. Inicialmente lanzado para el mercado profesional a mediados de año, es ahora cuando ha sido lanzado para el mercado de consumo, los cuales podrán aprovechar la implementación de los chips de memoria QLC NAND Flash fabricados por la propia compañía.

El Micron 5120 ION tuvo el placer de ser el primer  SSD del mundo en emplear sus revolucionarios chips de memoria con celdas de 4 bits, denominándose así una memoria QLC NAND Flash (Quad-Level Cell).

La memoria QLC va un paso más allá respecto a la TLC NAND Flash (Triple-Level Cell), ya que permite incrementar en un 33 por ciento la densidad de memoria en el mismo espacio, algo muy necesario en los SSDs de 2.5″ e interfaz SATA III @ 6.0 Gbps, ya que serán los que finalmente reemplacen a los discos duros mecánicos (HDD) debido a su alta densidad y precios más bajos respecto a otros SSDs donde únicamente destacan por su velocidad para ofrecer un alto rendimiento.

El Micron 5210 ION estará disponible en capacidades que parten desde los 1.92 TB hasta alcanzar los 7.68 TB, es por ello que inicialmente sólo estuvo disponible para socios ligados al almacenamiento en la Nube, Inteligencia Artificial o centros de datos. Ahora cualquier consumidor, con dinero, podrá hacerse con un SSD de alta capacidad y fiabilidad que mejora de forma notable el rendimiento respecto a un disco duro mecánico tradicional.

Para que nos hagamos una idea, con una velocidad secuencial de hasta 540 MB/s y una lectura aleatoria de hasta 90.000 IOPS, el Micron 5210 es 175 veces más rápido en lectura y 30 veces más rápido en escritura respecto a un HDD @ 10.000 RPM. Esta unidad ya está en producción en masa para llegar a todas las tiendas mientras que “su precio será equiparable a los discos duros de 10.000 RPM“.

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Micron habla de memoria GDDR6 a 20 GHz

El conocido fabricante de soluciones de memoria Micron ha confirmado que será posible comercializar memoria GDDR6 a 20 GHz haciendo un simple ajuste en el voltaje de la misma, lo que significa que ésta tendrá un mayor consumo pero también un mayor rendimiento.

Para que nos hagamos una idea de la diferencia que marca basta recordar que el estándar JEDEC establece una velocidad de 14 GHz para este tipo de memoria, lo que significa que tenemos un aumento de nada más y nada menos que 6 GHz.

Actualmente una tarjeta gráfica GeForce GTX 1080 TI tiene un ancho de banda de 484 GB/s gracias a su bus de 352 bits y a su memoria GDDR5X a 11 GHz. Pues bien, una hipotética GeForce GTX 2080 TI-1180 TI con un bus ligeramente incrementado hasta los 384 bits y memoria GDDR6 a 20 GHz alcanzaría un ancho de banda total de 960 GB/s.

La memoria GDDR6 a 20 GHz aplicada sobre un bus de 256 bits (como el que tienen las GTX 1080 y GTX 1070) nos dejaría un ancho de banda de 640 GB/s, una cifra que queda muy cerca de los 652 GB/s que alcanza la GTX TITAN V gracias a su bus de 3.072 bits y su memoria HBM2.

Con estos ejemplos hemos querido ilustrar el punto de inflexión que marcará la llegada de la memoria GDDR6 al sector gráfico, aunque debemos recordar que en un principio su utilización estará limitada a las tarjetas gráficas de gama alta y que las de gama media seguirán utilizando memoria GDDR5 o GDDR5X.

Por otro lado también es importante tener en cuenta que la memoria GDDR6 podría ser la elección de Sony y Microsoft para sus consolas de próxima generación. Salvo sorpresa esperamos que mantengan el enfoque de memoria unificada que vimos en PS4 y Xbox One, lo que significa que PS5 y Xbox Two contarán con una determinada cantidad de memoria GDDR6 (probablemente 16 GB) a repartir entre sistema (RAM) y memoria gráfica (VRAM).

vía: WCCFTech.

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Micron muestra su memoria RAM DDR5, un 37.5% más rápida que la DDR4

Micron, en colaboración con Cadence, han unido sus fuerzas para fabricar el primer módulo de memoria RAM DDR5 @ 4400 MHz. Estos módulos emplean la controladora de memoria PHY desarrollada por Cadence, mientras que Micron suministra sus chips de memoria de 8 Gb fabricados por TSMC a un proceso de fabricación de 7nm.

Todo combinado nos da una memoria RAM DDR5 @ 4400 MHz que promete ser un 37.5% más rápida que el módulo RAM DDR4 más rápido que actualmente esté en el mercado. Esta memoria no solo es más rápida, sino que permitirá aumentar la capacidad.

El estándar DDR5 facilitará la producción de chips de memoria de 16 Gb además de facilitar el apilamiento de la memoria en vertical. Si bien el apilamiento conlleva un problema físico: a medida que más chips se apilan, las distancias entre ellos comienzan a ser más largas, por lo que los parámetros de temporización central empeoran, y una prueba de ello es que esta memoria, en fase de prototipo, tenía unas latencias CAS 42, algo que es una salvajada, aunque el módulo funcionaba a 1.1v, que es algo impresionante respecto a la DDR4.

Cadence espera que la memoria DDR5 @ 4400 MHz sea un estándar, pero más adelante lo normal sería ver módulos DDR5 @ 6400 MHz. Los primeros sistemas basados en la memoria DDR5 llegarán en 2019, pero inicialmente debutarán en servidores. 

Su adopción seguirá siendo gradual hasta que en 2021 sea bastante normal verla en cualquier equipo.

vía: TechPowerUp

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